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行業估計,高Na EUV的價格將超過4億歐元,ASML:所有EUV客戶在研發階段下訂單


ASML推出了高NA EUV光刻設備,併計劃在2026年之前進行大規模生產。ASML昨天(6日)宣布,所有EUV客戶在研發階段都下達訂單。法律代表對新設備的未來將發貨,並且隨著高級流程的發展,ASML概念庫存Gudeng Topco Scientific,Holley 、Hongkang和其他其他設備有望受益。

ASML的主要客戶TSMC領導著將極端的紫外線光刻(EUV)設備引入7納米的質量生產。但是,TSMC業務發展高級副總裁兼副CO運營總監張Xiaoqiang今年公開表示,他“喜歡高Na Euv的能力,但不喜歡價格標籤”。TSMC計劃今年購買高數值孔徑EUV,但主要用於研發目的,尚未將其引入生產中。該行業估計,高數值EUV的價格將超過4億歐元(約141億歐元的新台灣美元),這是相當大的價格。

ASML計劃今年至少運送5-6台高數值孔徑EUV。英特爾於今年4月宣布購買第一個高數值孔徑EUV並組裝它,預計將在2027年使用14A過程。TSMC已確認今年將至少購買一個單位,SK Hynix計劃在明年進口它,三星最初計劃明年收購它,希望研發部門能夠在今年年底之前購買。

High Na Euv產品管理副總裁招呼Storms昨天巧妙地回應了“高價”問題,說“我相信客戶擅長討價還價”。她說,ASML繼續開發新技術,每個EUV客戶在研發階段都對高數值的EUV感興趣,並且已經下達了訂單。我們希望在2026年促進大規模生產,但這仍然取決於總體考慮因素,例如客戶流程成本。

據報導,自去年年底以來,高數值孔徑EUV已逐漸發貨,預計它將暴露出每小時185瓦的晶體,從而支持低於2納米的邏輯芯片的質量生產,並且具有相似晶體管密度相似的邏輯晶片.

ASML強調,將高數值的EUV產品引入高級工藝芯片製造可以簡化製造過程,減少光掩膜的數量,提高生產能力和產量,並減少每個晶圓的能源消耗。據估計,在高級過程中引入EUV和高數值孔徑EUV將通過2023年的2023年年度報告來節省整個過程中的200 kWh電力,從而節省100 kWh的電力。從2018年到2023年,每晶片的每晶片近40%,目的是到2025年將能源消耗進一步降低30-35%。